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激光清洗真空鍍膜

多晶硅表面吸附雜質的主要原因是，多晶硅表面原子垂直向上的化學鍵被破壞成為懸空鍵，在多晶硅表面形成自由力場，極易吸附各種雜質。這些雜質和多晶硅之間迅速形成化學吸附，難以去除。多晶硅表面的污染物會嚴重影響器件的可靠性、性能、和成品率。隨著人們對原料要求的提高和微電子技術的飛速發展，器件由于污染物導致的影響也愈加突出。多晶硅清洗技術毫無疑問成為半導體工藝以及硅材料加工的關鍵領域。

激光清洗作為新型的清洗技術，可以做到對基材無損傷，對環境無污染，效率高、效果好，對于多晶硅清洗也是可以做到保留晶格、去除污垢，可以作為生產企業必不可少的清洗工藝。